Transistors. Page 106 sur 114. Avtronic

Transistor SS9012H

0.67€ TTC

167 En stock

Transistor bipolaire PNP. hFE:144-202. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92. Class B Push-pull Operation. Excellent hFE linearity. Puissance: 0.625W.

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Tarifs dégressifs

Transistor SS9013F

0.67€ TTC

40 En stock

Transistor NPN SS9013F 40V 0.5A 0.625W hFE:96-135. Vce maxi: 40 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Boîtier: TO-92. Class B Push-pull Operation. Constructeur: Fairchild. Excellent hFE linearity. Puissance: 0.625 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor SSS10N60A

5.15€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor SSS10N60A N-MOS 600V 5.1A/36Ap 50W <0.8R(3.2A). Advanced Power MOSFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.2 A. Rds (Ohms): 0.8.

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Tarifs dégressifs

Transistor SSS7N60A

5.26€ TTC

16 En stock

Transistor SSS7N60A N-MOS 600V 4A 48W <1.2R(2.5A). Power-MOSFET (F). MOS-N-FET. Constructeur: SSU. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.5 A. Rds (Ohms): 1.2. Puissance: 48 W

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Tarifs dégressifs

Transistor SSS7N60B

6.05€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor SSS7N60B N-MOS 600V 4A 48W <1.0R(2.5A). Power-MOSFET (F). MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.5 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 48 W

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Tarifs dégressifs

Transistor ST13005A

2.91€ TTC

50 En stock

Transistor NPN ST13005A 700/400V 4A 75W Tf:0.2uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 4 A. hfe:15-32. High Voltage fast-switching. Constructeur: ST. TO-220. Tension collecteur/base maxi: 700 V. Puissance: 75 W

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Tarifs dégressifs

Transistor ST13007A

3.19€ TTC

18 En stock

Transistor NPN ST13007A 700/400V 8A 80W fT: 4MHz. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-220. hFE: 16-30. S-L. Constructeur: ST. Simbol:13007A. Tension collecteur/base maxi: 700 V. Puissance: 80 W

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Tarifs dégressifs

Transistor ST13009

4.03€ TTC

11 En stock

Transistor NPN ST13009 700/400V 12A 100W 60-110nS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. Boîtier: TO-220. hFE: 15-28. S-L. Constructeur: ST. ST13009L. Tension collecteur/base maxi: 700 V. Puissance: 100 W

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Tarifs dégressifs

Transistor ST2310DHI

12.82€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire NPN+DR 1500/600V 12A/25Ap 55W tf:0.25uS. Boîtier: ISOWATT218. Tension collecteur-émetteur maxi: 1500V. Vcbo: 600V. Courant de collecteur maxi: 12A. Ic(puls): 25A. Puissance: 55W. tf(min): 0.25 uS. tf(max): 0.5 uS. Vce(sat): 3V. Gain Hfe mini: 5.5. Gain Hfe maxi: 8.5. Résistance base- émetteur: 32 Ohm. Diode CE: Oui. Fréque

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Tarifs dégressifs

Transistor STA441C

14.62€ TTC

1 En stock

Transistor NPN STA441C. 2xNPN +2xD.TRANS.180V 1.5A 10p. Constructeur: SKN.

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Tarifs dégressifs

Transistor STB120N4F6

8.12€ TTC

293 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 40V 80A/320Ap 110W 0.0035R. Constructeur: STMicroelectronics. Marquage boîtier: 120N4F6. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO263. Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 80A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 80A. Id(imp): 320 Ap. Idss (min): 1 uA. Id

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Tarifs dégressifs

Transistor STB12NM50ND

13.22€ TTC

77 En stock

Transistor MOSFET canal N 550V 11A/44Ap 100W 0.29R (6.9A)

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Tarifs dégressifs

Transistor STD03N

37.91€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN DARL 160V 15A 160W TO-3P 5p.. Constructeur: Sanken. Code constructeur: STD03N. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: MT-100 TO-3P-5. Transistor au silicium. 5-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 160V. Vcbo: 160. Vebo: 5V. Consommation 15A. Puissance: 160W. VCE(sat): 2V. HFE(min): 5000. HFE max.: 2000. Diode CE: No. Diode

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Tarifs dégressifs

Transistor STD03N-STD03P

59.98€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistors complémentaires TO-3P 5p.. Constructeur: Sanken. Code constructeur: STD03N et STD03P. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: MT-100 TO-3P-5. Transistor au silicium. 5-pin. Type de transistor: NPN - PNP. Vceo: 160V. Vcbo: 160. Vebo: 5V. Consommation 15A. Puissance: 160W. VCE(sat): 2V. HFE(min): 5000. HFE max.: 2000. Diode CE

0

Tarifs dégressifs

Transistor STD03P

37.91€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor PNP DARL 160V 15A 160W TO-3P 5p.. Constructeur: Sanken. Code constructeur: STD03P. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: MT-100 TO-3P-5. Transistor au silicium. 5-pin. Type de transistor: PNP. Vceo: 160V. Vcbo: 160. Vebo: 5V. Consommation 15A. Puissance: 160W. VCE(sat): 2V. HFE(min): 5000. HFE max.: 2000. Diode CE: No. Diode

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Tarifs dégressifs

Transistor STD10NF10

3.42€ TTC

109 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 100V 13A. Référence d'origine constructeur: STD10NF10T4. Marquage boîtier: D10NF10. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 13A. Puissance: 50W. Résistance Rds: 0.115 Ohms. Low gate charge STripFET II Power MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STD10NM60N

5.66€ TTC

50 En stock

Transistor MOSFET canal-N SMD 650V 10A/32Ap 70W. Résistance passante RDSon : 0.53 Ohms (5A)

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P STD10P6F6

2.91€ TTC

58 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 60V 10A/40Ap. 35W. Résistance passante RDSon : 0.13 Ohms (7.2A)

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Tarifs dégressifs

Transistor STD10PF06

5.15€ TTC

4 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 10A. Référence d'origine constructeur: STD10PF06T4. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 10A. Puissance: 40W. Résistance Rds: 0.18 Ohms.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STD13NM60N

12.77€ TTC

34 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 650V 11A/44Ap 90W. Résistance passante RDSon : 0.36 Ohms

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Tarifs dégressifs

Transistor STD3NK80Z-1

4.03€ TTC

98 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 2.5A. Référence d'origine constructeur: STD3NK80Z-1. Marquage boîtier: D3NK80Z. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 3.8 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor SS9012H

Transistor bipolaire PNP. hFE:144-202. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant collecteur maxi: 0.5A. Boîtier: TO-92. Class B Push-pull Operation. Excellent hFE linearity. Puissance: 0.625W.

Transistor SS9013F

Transistor NPN SS9013F 40V 0.5A 0.625W hFE:96-135. Vce maxi: 40 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Boîtier: TO-92. Class B Push-pull Operation. Constructeur: Fairchild. Excellent hFE linearity. Puissance: 0.625 W

Transistor SSS10N60A

Transistor SSS10N60A N-MOS 600V 5.1A/36Ap 50W <0.8R(3.2A). Advanced Power MOSFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.2 A. Rds (Ohms): 0.8.

Transistor SSS7N60A

Transistor SSS7N60A N-MOS 600V 4A 48W <1.2R(2.5A). Power-MOSFET (F). MOS-N-FET. Constructeur: SSU. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.5 A. Rds (Ohms): 1.2. Puissance: 48 W

Transistor SSS7N60B

Transistor SSS7N60B N-MOS 600V 4A 48W <1.0R(2.5A). Power-MOSFET (F). MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.5 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 48 W

Transistor ST13005A

Transistor NPN ST13005A 700/400V 4A 75W Tf:0.2uS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 4 A. hfe:15-32. High Voltage fast-switching. Constructeur: ST. TO-220. Tension collecteur/base maxi: 700 V. Puissance: 75 W

Transistor ST13007A

Transistor NPN ST13007A 700/400V 8A 80W fT: 4MHz. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-220. hFE: 16-30. S-L. Constructeur: ST. Simbol:13007A. Tension collecteur/base maxi: 700 V. Puissance: 80 W

Transistor ST13009

Transistor NPN ST13009 700/400V 12A 100W 60-110nS. Vce maxi: 400 V. Courant de collecteur maxi: 12 A. Boîtier: TO-220. hFE: 15-28. S-L. Constructeur: ST. ST13009L. Tension collecteur/base maxi: 700 V. Puissance: 100 W

Transistor ST2310DHI

Transistor STA441C

Transistor NPN STA441C. 2xNPN +2xD.TRANS.180V 1.5A 10p. Constructeur: SKN.

Transistor STB120N4F6

Transistor STB12NM50ND

Transistor MOSFET canal N 550V 11A/44Ap 100W 0.29R (6.9A)

Transistor STD03N

Transistor STD03N-STD03P

Transistor STD03P

Transistor STD10NF10

Transistor CMS MOSFET canal N 100V 13A. Référence d'origine constructeur: STD10NF10T4. Marquage boîtier: D10NF10. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 13A. Puissance: 50W. Résistance Rds: 0.115 Ohms. Low gate charge STripFET II Power MOSFET.

Transistor MOSFET canal-N STD10NM60N

Transistor MOSFET canal-N SMD 650V 10A/32Ap 70W. Résistance passante RDSon : 0.53 Ohms (5A)

Transistor MOSFET canal-P STD10P6F6

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 60V 10A/40Ap. 35W. Résistance passante RDSon : 0.13 Ohms (7.2A)

Transistor STD10PF06

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 10A. Référence d'origine constructeur: STD10PF06T4. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 10A. Puissance: 40W. Résistance Rds: 0.18 Ohms.

Transistor MOSFET canal-N STD13NM60N

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 650V 11A/44Ap 90W. Résistance passante RDSon : 0.36 Ohms

Transistor STD3NK80Z-1

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